SiC MOSFET老化进程中的参数退化模型及器件仿真模型

刘青松，孙鹏菊，马兴

Parameter degradation model and device simulation model for SiC MOSFETs during aging process

LIU Qingsong， SUN Pengju， MA Xing

电工电能新技术 . . DOI: 10.12067/ATEEE2504030