SiC MOSFET老化进程中的参数退化模型及器件仿真模型

PDF(1971 KB)

电工电能新技术 ›› 0 DOI: 10.12067/ATEEE2504030

作者信息 +

Parameter degradation model and device simulation model for SiC MOSFETs during aging process

Author information +

文章历史 +

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 0 https://doi.org/10.12067/ATEEE2504030

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 0 https://doi.org/10.12067/ATEEE2504030

中图分类号：

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

PDF(1971 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航