4H-SiC沟槽结势垒二极管研制
汤益丹， 董升旭， 杨成樾， 郭心宇， 白云
Development of 4H-SiC trench junction barrier Schottky diodes
TANG Yi-dan, DONG Sheng-xu, YANG Cheng-yue, GUO Xin-yu, BAI Yun
电工电能新技术 . 2018, (10): 22 -26 .  DOI: 10.12067/ATEEE1808011

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