4H-SiC沟槽结势垒二极管研制

汤益丹, 董升旭, 杨成樾, 郭心宇, 白云

电工电能新技术 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (10) : 22-26.

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电工电能新技术 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (10) : 22-26. DOI: 10.12067/ATEEE1808011
高功率密度SiC变频器应用技术

4H-SiC沟槽结势垒二极管研制

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Development of 4H-SiC trench junction barrier Schottky diodes

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