作为世界公认能替代硅(Si)的下一代半导体材料，碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和漂移速率高、热导率高等优点。世界各国都在努力开发碳化硅器件，并希望能够尽快应用到各行业的变频器中，早日替代现有硅器件。美国能源部在研究报告中明确指出,利用SiC器件是实现2020年车用电机驱动价格减半的关键要素，在其部署的新能源车项目中60%与SiC器件应用相关。日本以三菱、富士、瑞萨为首的各大功率芯片厂商均已开发出各自的SiC芯片,并应用于高效变频器。全球SiC器件的市场规模于2017年已达到3.2亿美元,其中2016-2017年SiC MOSFET供应商的数量翻了一番, 我国2017年市场应用 SiC、GaN功率器件的规模也达到了18.3 亿元。

    目前，高功率密度SiC变频器应用技术已进入示范应用与准商业化应用阶段：车用电机控制器、车用无线充电、轨道交通、电力电子变频器等应用均已示范运行，光伏发电、车载充电等应用已准商业化运行。但高功率密度SiC变频器应用技术，还有许多问题亟需研究与解决，有必要加速探索高温、高频、高效、成本优化等方向的新技术，以促进高功率密度SiC变频器的快速商业化。本专题将介绍高性能SiC芯片设计技术、新型高温SiC模块封装技术、高功率密度SiC变频器设计技术及相关的高温驱动、电磁兼容等技术的进展情况。

为展示高功率密度SiC变频器领域的最新进展和发展趋势，共享最新学术和技术成果，《电工电能新技术》编辑部特邀中国科学院电工研究所温旭辉研究员和宁圃奇研究员担任特约主编，主持“高功率密度SiC变频器应用技术”专题，希望与作者、读者一起，共同探讨高功率密度SiC变频器设计开发技术的应用与未来，共同推进各方面的研究。征稿方式及注意事项如下：

一、专题征稿范围（包括但不限于）

1．高性能SiC芯片设计技术。

2．新型高温SiC模块封装技术。

3．高功率密度SiC变频器设计技术。

4．SiC功率器件高温驱动技术。

5．SiC变频器电磁兼容技术。

6．其他高功率密度SiC变频器应用技术与新技术探索。

7. 高功率密度SiC变频器应用相关政策、法规、标准探索。

二、投稿要求

1. 论文应重点突出、论述严谨、文字简练、避免长篇公式推导（必要的推导可列入附录），篇幅以6-10页为宜。

2. 来稿请用Word 排版、格式、摘要、作者信息参照《电工电能新技术》论文模板。

三、投稿截止日期：

2018年7月30日，拟于2018年11月出版。

四、投稿方式：

请登录http://159.226.64.23/Jwk_dgdn/CN/volumn/home.shtml 注册作者用户名和密码投稿，请注意在投稿栏目中选择“高功率密度SiC变频器应用技术”。

真诚欢迎国内外相关领域的专家学者及国家级科研计划承担单位踊跃投稿！

联系方式：杜永红    010-82547196    duyonghong@mail.iee.ac.cn

          宁圃奇    npq@mail.iee.ac.cn