高山, 李玉杰, 赵科, 李洪涛, 刘建军, 肖晗艳, 韩冬
局部放电导致的绝缘缺陷是SF6气体绝缘电气设备运行中出现最多的故障之一。为此,本文在模拟尖刺放电缺陷的基础上,利用光谱仪、光电倍增管和特高频传感器等对放电过程中SF6的发射光谱、时域光脉冲、特高频等信号进行了检测,分析了SF6在放电条件下的光学-电学联合特性。试验结果表明:SF6的特征谱线主要在482~485 nm、 492 nm、 502~507 nm、 574~577 nm和629 nm波长处;随着电场强度的增大,502~507 nm波长处的特征谱峰出现了斯托克斯增宽。根据PRPD谱图,特高频信号主要集中在负半周期270°附近,随着施加电压的增大,脉冲数、幅值及分布区间宽度均逐渐增大。对于光脉冲信号,放电开始阶段,光学信号主要集中在正半周90°和负半周270°附近;当施加电压进一步增大时,信号同时出现在正、负半周,信号幅值无明显变化,但信号脉冲数的密度明显增大。